日本三豐物鏡M Plan Apo NIR 10× 378-823-5

 M Plan Apo NIR
M Plan Apo NIR 5× 378-822-5 0.14 37.5 40 2.0 14.0 4.8 0.96×1.28 220
M Plan Apo NIR 10× 378-823-5 0.26 30.5 20 1.1 4.1 2.4 0.48×0.64 250
M Plan ApoNIR 20× 378-824-5 0.40 20.0 10 0.7 1.7 1.2 0.24×0.32 300
M Plan ApoNIR 50× 378-825-5 0.42 17.0 4 0.7 1.6 0.48 0.10×0.13 315
M Plan ApoNIR 100× 378-826-15 0.50 12.0 2 0.6 1.1 0.24 0.05×0.06 335

 上述規(guī)格欄中的分辨力和物鏡單體焦深是根據(jù)基準(zhǔn)波長(λ＝0.55μm)計算得出的值。
注)使用的波長如果在1100nm以上，玻璃色散的變化和折射率等的測量可能會出現(xiàn)誤差，略微偏離可見光的聚焦位置

 ·無限遠(yuǎn)校正 ·明視場觀察及激光加工用
·長工作距離 ·平場復(fù)消色差規(guī)格
· 對可見區(qū)(常用觀察波長區(qū))到近紅外區(qū)(波長～1800nm)進(jìn)行
了校正設(shè)計。
· NIR HR：高分辨力規(guī)格···分辨力提高 約50％以上(與標(biāo)準(zhǔn)型相比)

 明視場用近紅外區(qū)校正 物鏡
M Plan Apo NIR /
M Plan Apo NIR HR

 緊湊、輕巧的相機觀察顯微鏡
適用于金屬、樹脂、印刷表面、微小運動物體等各種觀察對象。
·適用于使用YAG激光(近紅外、可見、近紫外、紫外)的微細(xì)加工※ ※不保證激光振蕩器配備系統(tǒng)的綜合性能和安全性。
半導(dǎo)體電路的切割、修整、修正、打標(biāo)、薄膜(絕緣膜)的去除和加工、液晶彩色濾光片等的修復(fù)(修正缺陷)等。
·適用于紅外光學(xué)系統(tǒng)※
硅類的內(nèi)部觀察、紅外光譜特征分析等。※另需紅外光源和紅外攝像機等。
·反射照明光學(xué)系統(tǒng)標(biāo)配帶孔徑光闌遠(yuǎn)心照明
需要均勻照明的圖像處理。可用于尺寸測量、形狀檢查、定位等。
·VMU-LB和VMU-L4B強化了顯微鏡主體的剛性和綜合性能(與以往產(chǎn)品相比)
·除標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格外，還可按照需求設(shè)計制作雙相機、雙倍率(低倍率、高倍率)等產(chǎn)品

 NA=Numerical Aperture的略語
數(shù)值孔徑NA是決定物鏡分辨力、焦深、圖像亮度的重要數(shù)值。
數(shù)值孔徑NA通過下列公式來表示，其數(shù)值越大，就越能得到高分辨力、焦深淺的圖像
n是物鏡頂端與工件之間的媒介具有的屈光率，在空氣中n=1.0。是通過物鏡外側(cè)的光線與鏡頭中心（光軸）之間形成的角度
R=Resolving power的略語
能夠?qū)㈦x得很近的點或線區(qū)分開來的小間隔叫做分辨力，表示解像度的極限。
分辨力(R)由數(shù)值孔徑NA和波長(λ)來決定
W.D.=Working Distance的略語
是指對準(zhǔn)焦點時從試樣上表面到物鏡前端的距離

 日本三豐物鏡M Plan Apo NIR 10× 378-823-5